他提到，HighNAEUV光刻机不太可能像当先的EUV光刻机那样出现蔓延。傅恪礼还说念到了拼装扫描仪子组件的新步伐，即径直在客户工场装配，无需阅历拆卸及再拼装的流程。这将大大检朴ASML与客户之间的本事和资本，有助于加速HighNAEUV光刻机的发的和托付。

紧随后来上台的是英特尔院士兼光刻总监MarkPhillips，他暗示英特尔也曾在波特兰工场完成了两台HighNA光刻系统的装配，况且他还公布了一些尊府，标明HighNAEUV相对于程序EUV光刻机所带来的修订可能要比之前念念象中还要多。

▲ 首台 High NA EUV 相片，图源：英特尔

他暗示，由于也曾有了指示，第二套HighNAEUV光刻系统的装配速率比第一个还要更快。据称，HighNA所需的统统基础程序也曾到位并启动运行。用于HighNA的光刻掩模检测使命也曾按策画启动进行。因此，英特尔无需作念太多赞助撑执使命即可将其干预坐褥。

Mark还被问到了对于CAR（化学放大抗蚀剂）与金属氧化物抗蚀剂的问题，他暗示CAR现在还够用，但可能在过去某个本事需要金属氧化物光刻胶。英特尔主义插入点是Intel14A工艺（IT之家注：瞻望2026~2027年量产），这可能比预期的要更快。